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IXTA1N100P IXTP1N100P
IXTY1N100P
1.0
Fig. 7. Input Admittance
1.3
Fig. 8. Transconductance
0.9
1.2
1.1
T J = - 40oC
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
T J = 125oC
25oC
- 40oC
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
25oC
125oC
0.2
0.1
0.0
0.1
0.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
3.0
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 500V
2.5
8
I D = 0.5A
I G = 10mA
7
2.0
6
1.5
5
1.0
0.5
0.0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1,000
100
10
1
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10.0
1.0
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_1N100P(1C)4-03-08-A
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